【直播】【博士创『芯』说】金属导电细丝型阈值转变忆阻器及应用讨论

早在1971年，忆阻器就作为除电阻、电容与电感之外的第四个电路基本元件被预测并提出。随着人工智能、集成电路技术与脑科学研究的长足发展，机器模仿人脑认知与记忆的秘密也被缓缓揭开...
此时，忆阻器以其媲美人脑神经元突触低功耗、高可塑性等功能特点，成为后摩尔时代集成电路领域的重点科研方向之一。
第八期博士创芯说将以Ag或Cu等活性金属为电极（或掺杂剂）的阈值转变忆阻器为例，为大家讲述如何完善忆阻器性能，让“机器神经元突触”功能更加强大。

直播信息

报告题目

金属导电细丝型阈值转变忆阻器及应用讨论

报告人（单位）

化麒麟 副研究员（中国科学院北京纳米能源与系统研究所）

报告时间

2022年1月18日 (周二) 10:00 - 10:50

主办方

清华大学集成电路学院、北京未来芯片技术高精尖创新中心、复旦大学新一代集成电路技术集成攻关大平台

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报告人介绍

化麒麟，中国科学院北京纳米能源与系统研究所副研究员。2010年获华中科技大学工学学士学位，2016年获中国科学院大学工学博士学位；2016年7月至2018年7月在清华大学微电子学研究所从事博士后研究工作；2018年7月加入中国科学院北京纳米能源与系统研究所。主要从事压电半导体、柔性拉伸电子、低维纳米材料、神经形态器件等研究，聚焦探索新型柔性微纳器件/系统在智能感知、信息处理、执行控制等领域的前沿创新应用。已在Nat. Commun.、Nano Lett.、Nano Energy、Adv. Sci.、Adv. Electron. Mater.等著名期刊及国际会议上发表30余篇论文，其中1篇为热点论文、高被引论文、2018年中国百篇最具影响国际学术论文。担任Frontiers in Neuroscience、Micromachines等期刊客座编辑，是中国电子学会、清华校友总会集成电路专业委员会等会员。主持国家自然科学基金、北京市自然科学基金等青年项目各1项，参与国家重点研发计划、国家自然科学基金、中科院先导A等多项研究。研究工作“多功能集成电子皮肤”入选2018年中国国际智能产业博览会十大“黑科技”创新产品。

报告摘要

随着大规模集成电路技术的飞速发展，摩尔定律走向终点，后摩尔时代已经到来。目前后摩尔时代新器件正朝向新原理、新材料和新工艺等方向推进，以实现超低功耗、高密度集成、非冯诺依曼架构等方面取得突破。忆阻器具有结构简单、微缩性好、功耗低、适用于新计算架构等优点，成为了后摩尔时代集成电路芯片领域的研究热点。以Ag或Cu等活性金属为电极（或掺杂剂）的阈值转变忆阻器具有极低漏电流（~1 pA）和高非线性开关比（>107）等优势特征，在交叉存储阵列选通器、超低功耗晶体管、类脑神经元等新器件领域引起了广泛关注。然而，此种挥发性忆阻器易在操作过程中因金属导电细丝演变而发生非挥发性阻变，影响其可靠性。本报告将介绍Ag导电细丝型阈值转变忆阻器的性能优化策略，进一步讨论其在高性能选通器、超低亚阈值摆幅晶体管、振荡神经元等方面的具体应用。

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编辑：苏苗苗

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